2019 Q2 Hynix wäert déi zweet Generatioun 10nm Prozess Memory produzéieren

  SK hynix huet viru Kuerzem opgedeckt datt d'Firma hiren éischte Generatioun 10 Nanometer Fabrikatiounsprozess erhéijen (dh 1X nm) DRAM Produktioun, a fänkt un hir zweet Generatioun 10 Nanometer Fabrikatiounstechnologie ze verkafen (och bekannt als 1Y nm) an der zweeter Halschent vun der Joer. Gedächtnis. Den Iwwergank op 10nm Technologie beschleunegen erlaabt d'Firma den DRAM Output ze erhéijen, letztendlech d'Käschten ze reduzéieren a sech op d'nächst Generatiouns Memory ze preparéieren.

Déi éischt Produkter hiergestallt mat SK Hynix 1Y nm Produktiounstechnologie wäerten hiren 8Gb DDR4-3200 Memory Chip sinn. Den Hiersteller seet datt et d'Chipgréisst vun 8Gb DDR4 Geräter ëm 20% ka reduzéieren a säi Stroumverbrauch ëm 15% reduzéieren am Verglach mat ähnlechen Geräter fabrizéiert mat senger 1X nm Fabrikatiounstechnologie. Zousätzlech huet den SK hynix den Upëff vum 8Gb DDR4-3200 Chip zwee wichteg Verbesserungen: e 4-Phas Clocking Schema an d'Sense Verstärker Kontroll Technologie.

Och wann dës Technologien och dëst Joer fir DDR4 wichteg sinn, gëtt gesot datt SK hynix säin 1Y nm Fabrikatiounsprozess benotze fir DDR5, LPDDR5 an GDDR6 DRAM ze fabrizéieren. Dofir muss den Hynix seng zweet Generatioun 10 Nanometer Fabrikatiounstechnologie sou séier wéi méiglech upassen fir op d'Zukunft virzebereeden.